家 6 月 11 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 級） DRAM 內(nèi)存良率仍不足五成。
這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)低于 80~90% 的業(yè)界一般目標(biāo)，三星已于上月就此成立專門工作組應(yīng)對。
參考IT之家以往報道，三星電子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 級 DDR5 內(nèi)存開始量產(chǎn)，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 級 32Gb DDR5 內(nèi)存開發(fā)成功。
▲ 三星電子 12nm 級 32Gb DDR5 內(nèi)存
32Gb 的顆粒容量意味著三星可在不使用 TSV 工藝的情況下就能生產(chǎn) 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 內(nèi)存條。
相比采用 TSV 的 3DS DIMM 內(nèi)存，這種常規(guī)內(nèi)存條功耗減少 10%，制造成本也顯著降低。
因此，12nm 級制程的 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒被三星電子視為未來的主力產(chǎn)品。此番成立專門工作組旨在迅速提升良率。
三星電子還決定積極擴(kuò)大 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)量，未來華城 15 和平澤 P2 晶圓廠將成為這一產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。后者目前主要生產(chǎn) 1z nm 內(nèi)存，將進(jìn)行工藝升級。
三星電子計劃將 12nm 級 DRAM 的產(chǎn)能從目前的每月 4 萬片晶圓擴(kuò)張到三季度的 7 萬片和四季度的 10 萬片，明年則將進(jìn)一步提升至每月 20 萬片晶圓。